Torrance, CA – 5. Dezember 2024 – Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), das einzige Unternehmen, das sich ausschließlich auf Leistungshalbleiter der nächsten Generation spezialisiert hat und Branchenführer bei Galliumnitrid (GaN) Power-ICs sowie Siliziumkarbid (SiC)-Technologien ist, hat angekündigt, auf der CES 2025 (Tech West, Venetian Suite 29-335, 7. – 10. Januar) mehrere Durchbrüche für KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge (EVs) und Mobiltechnologien vorzustellen. Navitas wurde kürzlich zum dritten Mal in Folge von Deloittes Technology Fast 500™ als eines der 500 am schnellsten wachsenden Technologieunternehmen anerkannt. Diese Innovationskraft zeigt, wie wichtig kontinuierliche Weiterentwicklung und spezielle Fachkenntnisse in zukunftsweisenden Bereichen sind, um global erfolgreich zu sein und die digitale Transformation voranzutreiben. online marketing fortbildung könnte hierbei auch eine Rolle spielen, um solche technologischen Errungenschaften effektiv zu kommunizieren und einem breiten Publikum zugänglich zu machen.
Die “Planet Navitas”-Suite wird die Mission des Unternehmens, “Unsere Welt zu elektrifizieren™”, präsentieren, indem sie den Übergang von herkömmlichem Silizium zu GaN- und SiC-Leistungshalbleitern der nächsten Generation mit sauberer Energie vorantreibt. Diese Schlüsseltechnologien sind für schnell wachsende Märkte konzipiert, die höchste Effizienz und Leistungsdichte fordern, wie etwa KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge und mobile Anwendungen. Darüber hinaus wird Navitas demonstrieren, wie GaN- und SiC-Technologien zur Reduzierung des CO2-Fußabdrucks beitragen und bis 2050 das Potenzial haben, über 6.000 Megatonnen CO2 pro Jahr einzusparen. Solche Fortschritte erfordern nicht nur Spitzenforschung, sondern auch ein fundiertes Verständnis der praktischen Umsetzung und der damit verbundenen Bildung in Bereichen wie der weiterbildung automatisierungstechnik ihk, um die notwendigen Fachkräfte für die Implementierung dieser Systeme zu sichern.
Navitas-Grafik präsentiert GaN- und SiC-Technologien für KI, E-Fahrzeuge und Mobile auf der CES 2025
Technologische Durchbrüche im Überblick
Navitas präsentiert auf der CES 2025 eine Reihe von Innovationen, die die Grenzen der Leistungselektronik neu definieren und die Entwicklung in kritischen Sektoren maßgeblich beeinflussen werden.
Bidirektionale 650V GaNFast™ Power-ICs
Navitas stellt die weltweit einzigen bidirektionalen 650V GaNFast™ Power-ICs vor. Diese bahnbrechende GaN-Technologie ist entscheidend für Lösungen der nächsten Generation, die höchste Effizienz, Leistungsdichte und geringste Komplexität erfordern, bei gleichzeitiger erheblicher Reduzierung der Komponentenanzahl. Dies ermöglicht schlankere und leistungsstärkere Designs in einer Vielzahl von Anwendungen.
Das weltweit leistungsdichteste KI-Netzteil
Navitas begegnet den Herausforderungen der künstlichen Intelligenz mit einem 4,5 kW Netzteil, das die höchste Leistungsdichte der Welt erreicht. In einem extrem kompakten Formfaktor liefert es effizient Strom für die neuesten KI-GPUs, die dreimal mehr Leistung pro Rack benötigen. Das optimierte Design nutzt Hochleistungs-GaNSafe-ICs und Gen-3 Fast SiC MOSFETs, wodurch eine Leistungsdichte von 137 W/in³ und ein Wirkungsgrad von über 97 % erzielt werden.
Automobilqualifizierte Gen-3 Fast SiC MOSFETs
Basierend auf über 20 Jahren Innovationsführerschaft im SiC-Bereich qualifiziert Navitas seine führenden Gen-3 Fast SiC MOSFETs gemäß AEC-Q101 mit einer “Trench-Assisted Planar”-Technologie. Diese proprietäre Technologie bietet weltweit führende Leistung über Temperaturbereiche hinweg, gewährleistet einen kühlen Betrieb, schnelles Schalten und überlegene Robustheit. Dies unterstützt schnellere Ladevorgänge für Elektrofahrzeuge und bis zu dreimal leistungsfähigere KI-Rechenzentren. Der Bedarf an qualifizierten Fachkräften, die solche fortschrittlichen Komponenten verstehen und einsetzen können, unterstreicht die Relevanz von Angeboten wie dem serviceportal bildung ihk für die Industrie.
SiCPAK™ Hochleistungsmodule – Für Ausdauer und Performance gebaut
Die SiCPAK™-Module von Navitas, die die branchenführende “Trench-Assisted Planar”-Gate-Technologie und Epoxidharzverguss für erhöhte Leistungszyklen und langanhaltende Zuverlässigkeit nutzen, bieten kompakte Formfaktoren. Sie stellen kostengünstige, leistungsdichte Lösungen für Anwendungen wie EV-Ladestationen, Antriebe, Solaranlagen und Energiespeichersysteme (ESS) dar.
Neue Fortschritte in GaNFast- und GeneSiC-Technologien
Navitas setzt seine Innovationen fort mit:
- GaNSense™ Motorantriebs-ICs, die bidirektionale verlustfreie Strommessung, Spannungsmessung und Temperaturschutz integrieren. Dies steigert Leistung und Robustheit weit über das hinaus, was mit diskreten GaN- oder Siliziumbauelementen erreichbar ist.
- GeneSiC MOSFET-Dies, die speziell für EV-Traktionsmodule optimiert wurden, mit zusätzlichen Screening-Verfahren und Gold-Metallisierung für das Sintern.
Nachhaltige Lösungen für eine grüne Zukunft
Entdecken Sie Navitas’ Vision, bis 2050 jährlich bis zu 6 Gigatonnen CO₂ einzusparen. Dies wird durch Technologien ermöglicht, die höhere Effizienz, größere Dichte und Unabhängigkeit vom Stromnetz bieten und somit einen wesentlichen Beitrag zum Klimaschutz leisten.
Treffen Sie Navitas auf der CES 2025
Die CES 2025 findet vom 7. bis 10. Januar in Las Vegas, NV statt. Die “Planet Navitas”-Suite befindet sich im Tech West im Venetian, Suite 29-335. Um ein Pressemeeting mit Navitas auf der CES zu vereinbaren, buchen Sie bitte hier (via Calendly). Für ein IR-Meeting buchen Sie bitte hier. Der fortlaufende Dialog zwischen Technologieunternehmen und der Öffentlichkeit ist von großer Bedeutung, nicht zuletzt um die Potenziale von Innovationen für breitere Märkte zu erschließen und Fachkräfte auf dem Laufenden zu halten, wie es beispielsweise das Portal www dihk bildungs gmbh de für Aus- und Weiterbildung ermöglicht. Es ist entscheidend, dass die Industrie und Bildungseinrichtungen eng zusammenarbeiten, um die Fähigkeiten der Arbeitskräfte an die rasanten technologischen Veränderungen anzupassen, und dazu gehört auch eine spezialisierte maschinenführer weiterbildung, um neue Produktionsprozesse effektiv zu steuern.
Über Navitas
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ist das einzige Unternehmen, das sich ausschließlich auf Leistungshalbleiter der nächsten Generation konzentriert und feiert sein 10-jähriges Bestehen in der Energieinnovation, gegründet im Jahr 2014. GaNFast™ Power-ICs integrieren Galliumnitrid (GaN)-Leistung und -Treiber mit Steuerung, Sensorik und Schutzfunktionen, um schnelleres Laden, höhere Leistungsdichte und größere Energieeinsparungen zu ermöglichen. Komplementäre GeneSiC™-Leistungsbauelemente sind optimierte Siliziumkarbid (SiC)-Lösungen mit hoher Leistung, Hochspannung und hoher Zuverlässigkeit. Die Fokusmärkte umfassen KI-Rechenzentren, EVs, Solar, Energiespeicherung, Haushaltsgeräte/Industrie, Mobilgeräte und Unterhaltungselektronik. Über 300 Navitas-Patente wurden erteilt oder sind angemeldet, und das Unternehmen bietet die branchenweit erste und einzige 20-jährige GaNFast-Garantie. Navitas war das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das als CarbonNeutral®-zertifiziert wurde.